面向近 1 K 低温 IC 的商用体 CMOS PDK 几何可扩展 DC I–V 校准方法

A Geometry-Scalable DC I–V Calibration Methodology for a Commercial Bulk CMOS Process Design Kit for Cryogenic ICs Operating Near 1 K

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研究提出一套针对低温 CMOS 集成电路设计的商用 PDK 校准方法，基于基线 PDK 采用的 PSP 紧凑模型，通过几何感知的参数调节流程，用低温 DC 测量校准多种器件几何下的低温 DC I–V 特性，并保持与标准 EDA 工具链兼容。作者据此校准商用 28 nm 体 CMOS PDK 中的一组调谐点器件，构建出原型低温 PDK，并在 1.58 K 下用调谐点器件和未参与调谐的交叉点器件评估预测精度。