跳到正文

内容类型

论文与研究 最新动态

保留出版状态、基准和实验条件。

7 条精选近 30 天 1 条共收录 20 条

更新

论文与研究的精选

10月29日周四第 1–7 条
  1. arXiv 原始研究62

    APPlace:协同优化器件位置与接入点的布线感知模拟布局

    APPlace 是一个布线感知的模拟布局框架,在全局布局阶段同时优化器件位置与接入点(AP)选择,随后通过合法化阶段保留全局布局建立的结构。作者指出,现有解析布局方法在基于中心的线长代理下只优化器件坐标,把接入点选择留给布线;但模拟电路的布线引脚是一段可延伸的端子金属而非固定点,最佳接入点取决于相连器件的摆放位置,仅优化坐标会针对布线器不会使用的连接点。在四个真实模拟基准上,APPlace 在布局面积相当的情况下取得优于代表性基线的整体后布局性能;消融实验显示,去掉接入点协同优化会使 OTA 基准的 CMRR 最多下降 13 dB,比较器延迟增加 23%。

    推荐理由:论文指出模拟布线引脚是可延伸金属而非固定点,把接入点选择并入全局布局协同优化,并给出消融影响。

5月25日周一
  1. IEEE TCAD62

    研究提出基于先验知识分解与机器学习优化的毫米波 CMOS 功放全自动原理图与版图设计方法

    研究提出一种毫米波 CMOS 功率放大器全自动设计方法,先用先验知识引导的分解把整个电路拆成多个可优化子问题,再借助机器学习辅助优化(MLAO)依次迭代求解。其中多分支 MLAO(MB-MLAO)算法用于片上变压器,以实现宽带匹配和高保真阻抗合成。对覆盖 17–41 GHz 的五个功放设计案例,后版图仿真结果显示该方法在保持较高 PPA 的同时明显加快设计流程。原文仅提供摘要,未给出具体工艺节点、对比基线与量化加速数据。

    推荐理由:论文给出毫米波 CMOS 功放的分解式自动化流程,可用于比较机器学习辅助优化与传统固定拓扑设计的差异。

5月20日周三
  1. IEEE TCAD62

    面向近 1 K 低温 IC 的商用体 CMOS PDK 几何可扩展 DC I–V 校准方法

    研究提出一套针对低温 CMOS 集成电路设计的商用 PDK 校准方法,基于基线 PDK 采用的 PSP 紧凑模型,通过几何感知的参数调节流程,用低温 DC 测量校准多种器件几何下的低温 DC I–V 特性,并保持与标准 EDA 工具链兼容。作者据此校准商用 28 nm 体 CMOS PDK 中的一组调谐点器件,构建出原型低温 PDK,并在 1.58 K 下用调谐点器件和未参与调谐的交叉点器件评估预测精度。

    推荐理由:论文给出面向 1 K 附近低温 CMOS 的商用 PDK 校准流程,并报告跨器件几何的漏极电流误差下降幅度。

5月10日周日
  1. 中国科学院计算技术研究所76
    中国科学院计算技术研究所的报道配图

    计算所等联合在 ICLR 2026 发表 CircuitNet 3.0 开源数据集

    计算所李华伟-穆嘉楠课题组联合香港中文大学、北京大学在 ICLR 2026 发表论文,提出面向 AI 驱动芯片设计的开源数据集 CircuitNet 3.0。该数据集以 8,659 个通过综合与仿真验证的开源 RTL 设计为基础,经工业级 EDA 流程生成超过 15,000 个设计实例,覆盖 RTL、门级网表到物理布局阶段,每个样本含 RTL 代码与文本描述、结构化图表示和版图图像,并配套经 EDA 流程验证的时序与功耗指标。

    推荐理由:论文给出 CircuitNet 3.0 的构建流程与跨阶段多模态数据,可用于比较 AI for EDA 时序与功耗预测的数据条件。

5月7日周四
  1. IEEE TCAD71

    ChiGen:面向 EDA 工具测试的自底向上 Verilog 设计生成方法

    研究提出一种生成真实感 Verilog 设计的方法及配套工具 ChiGen,用于缓解 HDL 基准设计稀缺的问题。ChiGen 最初为测试 Cadence 的 Jasper 形式验证平台而开发,现已开源,并在 Verible、Verilator、Yosys 等工具中发现零日缺陷。其设计原理包括概率文法引导生成、基于 Hindley–Milner 算法的类型推断,以及由数据流分析支持的代码注入。在标准硬件上部署后,ChiGen 在结构多样性、代码覆盖率和缺陷发现能力上优于 Verismith、TransFuzz、VlogHammer 等现有 Verilog Fuzzer。

    推荐理由:论文介绍开源 Verilog 生成工具 ChiGen 的设计原理,并说明其在结构多样性、代码覆盖率和找 bug 能力上的对比结果。

4月20日周一
  1. IEEE TCAD71

    TopoSizing:面向 AMS 电路的 LLM 辅助拓扑理解与尺寸设计框架

    研究提出 TopoSizing 端到端框架,直接从原始网表理解模拟与混合信号电路,并把理解结果转化为优化收益。方法先用图算法把电路组织为器件、模块、级的分层表示,再由 LLM 智能体执行假设、验证、修正的迭代循环并做一致性检查,生成显式标注;验证后的洞见通过 LLM 引导的初始采样和停滞触发的信赖域更新接入贝叶斯优化。在 55nm CMOS 工艺的 OTA、FC-OTA、StrongArm 锁存比较器和 LDO 四类真实电路上。

    推荐理由:该框架把大模型智能体与贝叶斯优化结合,用于从原始网表理解模拟电路并完成尺寸设计,摘要给出四类电路上的效率与调用次数对比。

  2. IEEE TCAD62

    DIONet3D:面向3D IC IR drop预测的双输入双输出深度神经网络

    论文提出DIONet3D,一种面向3D IC IR drop预测的双输入双输出神经网络,同时接收上下两层裸片的特征图,经U-Net结构共享主干后同时输出两层裸片的IR drop图。为建模3D供电效应,作者引入物理引导的3D增强PDN表示,用高斯核平滑把平面PDN条带转为空间连续特征,并编码垂直混合键合(HB)/硅通孔(TSV)连接以刻画跨裸片供电。方法还采用多损失函数动态加权的复合损失以平衡多任务收敛。实验称其优于现有CNN方法并具较好泛化性,与商用EDA仿真工具相比结构及空间相似度高,CPU推理下运行速度最高提升309倍、内存降低89倍。摘要未给出具体设计规模、工艺与基线细节。

    推荐理由:论文给出双输入双输出网络与物理引导的3D PDN表示,可用于比较3D IC IR drop预测的代理模型方案。