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NEWS / 动态

#PDK

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6月1日周一
5月20日周三
  1. IEEE TCAD62

    面向近 1 K 低温 IC 的商用体 CMOS PDK 几何可扩展 DC I–V 校准方法

    研究提出一套针对低温 CMOS 集成电路设计的商用 PDK 校准方法,基于基线 PDK 采用的 PSP 紧凑模型,通过几何感知的参数调节流程,用低温 DC 测量校准多种器件几何下的低温 DC I–V 特性,并保持与标准 EDA 工具链兼容。作者据此校准商用 28 nm 体 CMOS PDK 中的一组调谐点器件,构建出原型低温 PDK,并在 1.58 K 下用调谐点器件和未参与调谐的交叉点器件评估预测精度。

    推荐理由:论文给出面向 1 K 附近低温 CMOS 的商用 PDK 校准流程,并报告跨器件几何的漏极电流误差下降幅度。

5月19日周二
  1. IEEE TCAD58

    面向MMIC的宽温高精度混合可扩展MIM电容模型

    研究针对MMIC传统PDK缺乏宽温、宽频段稳健电容模型的问题,提出带接地电感的π型等效电路,S参数拟合误差低于2%,并解释了器件的热谐振漂移。在此基础上构建物理引导核心与神经网络补偿相结合的混合可扩展模型,参数拟合R²高于0.999,最终模型在整个温度与几何空间内对实测数据的S参数预测R²大于0.98。作者称该工作为恶劣工况下的稳健电路设计提供了高精度可扩展MIM电容模型,其混合方法可推广到其他无源器件。

4月14日周二