Silvaco 网络研讨会：用 FTCO™ 代理模型探索 GAA NSFET 设计空间
Silvaco 举办网络研讨会，演示面向 GAA NSFET 的完整 FTCO™ 工作流，覆盖从纳米片形成工艺仿真到器件仿真，并用 Victory DoE 与 Victory Analytics 将少量高保真仿真转化为 AI 代理模型。
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#TCAD
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Silvaco 官方技术公告RSSAI 评分2222
Synopsys 官方新闻RSSAI 评分5858 
Synopsys 在 NVIDIA GTC Berlin 展示 20 多款 GPU 加速 EDA 方案
Synopsys 在 NVIDIA GTC Berlin 展示 20 多款 GPU 加速的 EDA 与多物理场方案，现已支持 50 个 NVIDIA CUDA-X 库和框架。
NVIDIA 官方动态精选AI 评分6565 NVIDIA cuDSS 正式发布，加速工程与科学仿真
NVIDIA 宣布 cuDSS 正式发布，这是 CUDA-X 库，把工程与科学仿真中的大规模稀疏系统求解迁移到 GPU 上。
推荐理由：cuDSS 把稀疏求解放到 GPU 上，原文列出应用材料、Cadence、Synopsys 等工具接入后的加速倍数，可用于比较仿真流程的 GPU 改造条件。
培风图南AI 评分4242 
培风图南在IDAS 2026发布基于TCAD的虚拟工艺平台
培风图南在IDAS 2026主论坛发布基于TCAD的虚拟工艺平台，该平台属EDA²创新基础设施，覆盖化学机械抛光、沉积、光刻、刻蚀、离子注入、热退火等完整工艺流程，实现从校准到预测再到优化的正向研发闭环。公司称其MozzTCAD是国内唯一支持FinFET、Nanosheet的3D TCAD仿真工具，已通过行业龙头客户验收，并在部分场景实现对国际标杆产品的性能反超。
培风图南AI 评分2727 
培风图南亮相MOS-AK会议，展示DTCO建模与Mozz TCAD仿真技术
培风图南在MOS-AK会议上展示国产EDA技术：沈忱博士报告全自动SPICE模型抽取工具，通过算法优化与流程自动化实现从器件特性到紧凑模型参数的高效提取，缩短建模周期，并分享其在全自动DTCO流程中的集成方案。
培风图南AI 评分2222 
培风图南在半导体分立器件年会展示制造类EDA软件与功率模组多物理场耦合仿真
培风图南在第二十届中国半导体行业协会半导体分立器件年会上展示全系列制造类EDA软件，并作《半导体功率模组的电-热-力多物理场耦合仿真：从芯片精细损耗到全生命周期寿命预测》专题报告。报告基于Mozz TCAD平台，展示从芯片级精细损耗建模、封装结构热力耦合分析到全生命周期寿命预测的技术路径，针对焊层疲劳、键合线脱落等失效模式提供预测性仿真思路。
培风图南AI 评分4242 培风图南 Mozz TCAD 2026.04 版本发布
上海培风图南半导体发布 TCAD 套件 Mozz TCAD 2026.04 版本，在仿真效率、求解稳定性、模型精度和操作便利性上均有提升。器件仿真工具 Mozz Device 新增 MixMode 混合模式仿真能力，将分析范围从器件级延伸至电路级，缩短从工艺建模到系统验证的设计迭代周期。该套件覆盖工艺仿真、三维工艺形貌仿真、器件仿真、参数提取、可视化及集成工作平台。
IEEE TCAD精选AI 评分6262 面向近 1 K 低温 IC 的商用体 CMOS PDK 几何可扩展 DC I–V 校准方法
研究提出一套针对低温 CMOS 集成电路设计的商用 PDK 校准方法，基于基线 PDK 采用的 PSP 紧凑模型，通过几何感知的参数调节流程，用低温 DC 测量校准多种器件几何下的低温 DC I–V 特性，并保持与标准 EDA 工具链兼容。作者据此校准商用 28 nm 体 CMOS PDK 中的一组调谐点器件，构建出原型低温 PDK，并在 1.58 K 下用调谐点器件和未参与调谐的交叉点器件评估预测精度。
推荐理由：论文给出面向 1 K 附近低温 CMOS 的商用 PDK 校准流程，并报告跨器件几何的漏极电流误差下降幅度。
IEEE TCADAI 评分3838 基于CNTFET的非平衡三进制全加器架构：设计与应用
该文提出一种采用多阈值碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）技术、由42个晶体管实现的三进制全加器（TFA）架构。Synopsys HSPICE在0.9 V下的电路级仿真显示，与现有先进设计相比，该TFA功耗降低35.8%–75.2%、能耗降低21.6%–70%，蒙特卡洛仿真表明其对关键CNTFET工艺参数变化的敏感度最低，代价是适度的延迟开销和布局面积增至1.85倍。
培风图南AI 评分2525 
ISEDA 2026 | 培风图南亮相新加坡，展示2nm TCAD与DTCO方案
培风图南在ISEDA 2026发表技术报告，提出面向2nm及以下节点的现代化TCAD路线图，通过GPU加速计算架构与可处理多尺度、多物理场耦合的新型求解器提升仿真效率。公司还展示了将先进仿真工具整合进新一代协同优化DTCO体系、构建可扩展AI仿真预测平台的方案。新加坡国立大学Yee-Chia Yeo教授到访展台并为公司2nm TCAD及DTCO领域创新背书。
培风图南AI 评分5858 培风图南发布 TCAD 套件 Mozz 2025.10 版本
苏州培风图南半导体发布工艺与器件仿真套件 Mozz 2025.10 版本，新增三维工艺形貌仿真工具 Mozz ProcEmu、Mozz ProcFlow、Mozz Analytics 和基于有限差分法的三维 RC 参数提取工具 Mozz RCExFD。