培风图南在IDAS 2026发布基于TCAD的虚拟工艺平台
培风图南在IDAS 2026主论坛发布基于TCAD的虚拟工艺平台，该平台属EDA²创新基础设施，覆盖化学机械抛光、沉积、光刻、刻蚀、离子注入、热退火等完整工艺流程，实现从校准到预测再到优化的正向研发闭环。公司称其MozzTCAD是国内唯一支持FinFET、Nanosheet的3D TCAD仿真工具，已通过行业龙头客户验收，并在部分场景实现对国际标杆产品的性能反超。
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培风图南亮相MOS-AK会议，展示DTCO建模与Mozz TCAD仿真技术
培风图南在MOS-AK会议上展示国产EDA技术：沈忱博士报告全自动SPICE模型抽取工具，通过算法优化与流程自动化实现从器件特性到紧凑模型参数的高效提取，缩短建模周期，并分享其在全自动DTCO流程中的集成方案。
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第九届创芯大赛培风图南命题：从极限到规则的DTCO探索
8月16日，“华为杯”第九届中国研究生创“芯”大赛全国总决赛在深圳南方科技大学落幕，培风图南企业命题《基于规则垂直纳米线阵列的高密度逻辑电路设计与DTCO协同优化》聚焦将存储器垂直阵列结构迁移至逻辑电路，在保证逻辑功能前提下提升晶体管与逻辑门密度。参赛队伍使用Mozz TCAD软件套件完成仿真评估与模型抽取，四支队伍获该命题一个一等奖和三个二等奖。
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培风图南在半导体分立器件年会展示制造类EDA软件与功率模组多物理场耦合仿真
培风图南在第二十届中国半导体行业协会半导体分立器件年会上展示全系列制造类EDA软件，并作《半导体功率模组的电-热-力多物理场耦合仿真：从芯片精细损耗到全生命周期寿命预测》专题报告。报告基于Mozz TCAD平台，展示从芯片级精细损耗建模、封装结构热力耦合分析到全生命周期寿命预测的技术路径，针对焊层疲劳、键合线脱落等失效模式提供预测性仿真思路。
培风图南AI 评分4242 培风图南 Mozz TCAD 2026.04 版本发布
上海培风图南半导体发布 TCAD 套件 Mozz TCAD 2026.04 版本，在仿真效率、求解稳定性、模型精度和操作便利性上均有提升。器件仿真工具 Mozz Device 新增 MixMode 混合模式仿真能力，将分析范围从器件级延伸至电路级，缩短从工艺建模到系统验证的设计迭代周期。该套件覆盖工艺仿真、三维工艺形貌仿真、器件仿真、参数提取、可视化及集成工作平台。
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ISEDA 2026 | 培风图南亮相新加坡，展示2nm TCAD与DTCO方案
培风图南在ISEDA 2026发表技术报告，提出面向2nm及以下节点的现代化TCAD路线图，通过GPU加速计算架构与可处理多尺度、多物理场耦合的新型求解器提升仿真效率。公司还展示了将先进仿真工具整合进新一代协同优化DTCO体系、构建可扩展AI仿真预测平台的方案。新加坡国立大学Yee-Chia Yeo教授到访展台并为公司2nm TCAD及DTCO领域创新背书。
培风图南AI 评分5858 培风图南发布 TCAD 套件 Mozz 2025.10 版本
苏州培风图南半导体发布工艺与器件仿真套件 Mozz 2025.10 版本，新增三维工艺形貌仿真工具 Mozz ProcEmu、Mozz ProcFlow、Mozz Analytics 和基于有限差分法的三维 RC 参数提取工具 Mozz RCExFD。