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今天11月3日周二1 条
  1. Semiconductor Engineering58

    UT Austin 提出 APPlace,联合优化模拟布局器件位置与接入点

    得克萨斯大学奥斯汀分校发布论文 APPlace,在模拟全局布局阶段联合优化器件位置与接入点(AP)选择,并保留合法化阶段以维持全局布局建立的结构。作者指出,模拟电路的布线引脚是一段延伸的端子金属而非固定点,最佳接入点取决于相连器件的摆放位置,仅优化坐标会让布线器用不到所优化的连接点。在四个真实模拟基准上,APPlace 在相近布局面积下取得优于代表性基线的整体后布局性能;消融实验显示,去掉 AP 联合优化会使 OTA 基准的 CMRR 最多下降 13 dB,比较器延迟增加 23%。

10月29日周四
  1. arXiv 原始研究62

    APPlace:协同优化器件位置与接入点的布线感知模拟布局

    APPlace 是一个布线感知的模拟布局框架,在全局布局阶段同时优化器件位置与接入点(AP)选择,随后通过合法化阶段保留全局布局建立的结构。作者指出,现有解析布局方法在基于中心的线长代理下只优化器件坐标,把接入点选择留给布线;但模拟电路的布线引脚是一段可延伸的端子金属而非固定点,最佳接入点取决于相连器件的摆放位置,仅优化坐标会针对布线器不会使用的连接点。在四个真实模拟基准上,APPlace 在布局面积相当的情况下取得优于代表性基线的整体后布局性能;消融实验显示,去掉接入点协同优化会使 OTA 基准的 CMRR 最多下降 13 dB,比较器延迟增加 23%。

    推荐理由:论文指出模拟布线引脚是可延伸金属而非固定点,把接入点选择并入全局布局协同优化,并给出消融影响。

9月21日周一
  1. FOSSi Foundation22
    FOSSi Foundation的报道配图

    FOSSi Foundation《El Correo Libre》第100期:ORConf 2026、FuseSoC 15周年与OpenTitan Peppermint

    FOSSi Foundation发布《El Correo Libre》第100期,回顾ORConf 2026以近200名注册者、60余场演讲成为迄今最大一届。开源包管理与构建工具FuseSoC迎来15周年,已支持EDAM过滤器、虚拟核冲突处理、Edalize流程API及GHDL仿真器等,源码以BSD 2-Clause许可发布。

7月24日周五
  1. 中国科学院计算技术研究所58
    中国科学院计算技术研究所的报道配图

    中科院计算所三篇 DFT 与功能安全验证论文被 ITC 2026 录用

    中国科学院计算技术研究所处理器芯片全国重点实验室的三篇论文被第 57 届 IEEE 国际测试会议 ITC 2026 接收,其中两篇为长文。E-ATPG 提出基于 E-graph 的可测试性感知逻辑重构框架,在保持逻辑功能等价的前提下重构电路结构,以优化 ATPG 搜索空间;另一篇提出基于逻辑综合中间表达的测试点插入框架,实验称相较商用工具的门级和 RTL 方法可用更少测试点提升可测试性,并相比门级方法减少面积开销、改善时序。

5月25日周一
  1. IEEE TCAD58

    FrqBooster:面向多die FPGA的拥塞感知HLS加速器频率优化映射

    研究提出面向频率的HLS加速器设计空间探索方法FrqBooster,用拥塞感知的模块映射算法缓解多die FPGA上的跨die互连延迟、局部资源拥塞和设计空间膨胀问题。方法先分析加速器模块间连接并构建优化目标,再分析各模块资源开销并提出两阶段资源均衡策略,最后用拥塞感知算法完成整体探索。实验显示,在U250和U280平台上,FrqBooster相对Vivado默认实现的最大频率提升分别为73.15%和81.22%;在加速器设计空间探索场景中相对相关工作的最大提升为25.84倍。

5月20日周三
  1. IEEE TCAD62

    面向近 1 K 低温 IC 的商用体 CMOS PDK 几何可扩展 DC I–V 校准方法

    研究提出一套针对低温 CMOS 集成电路设计的商用 PDK 校准方法,基于基线 PDK 采用的 PSP 紧凑模型,通过几何感知的参数调节流程,用低温 DC 测量校准多种器件几何下的低温 DC I–V 特性,并保持与标准 EDA 工具链兼容。作者据此校准商用 28 nm 体 CMOS PDK 中的一组调谐点器件,构建出原型低温 PDK,并在 1.58 K 下用调谐点器件和未参与调谐的交叉点器件评估预测精度。

    推荐理由:论文给出面向 1 K 附近低温 CMOS 的商用 PDK 校准流程,并报告跨器件几何的漏极电流误差下降幅度。

5月19日周二
  1. IEEE TCAD58

    面向MMIC的宽温高精度混合可扩展MIM电容模型

    研究针对MMIC传统PDK缺乏宽温、宽频段稳健电容模型的问题,提出带接地电感的π型等效电路,S参数拟合误差低于2%,并解释了器件的热谐振漂移。在此基础上构建物理引导核心与神经网络补偿相结合的混合可扩展模型,参数拟合R²高于0.999,最终模型在整个温度与几何空间内对实测数据的S参数预测R²大于0.98。作者称该工作为恶劣工况下的稳健电路设计提供了高精度可扩展MIM电容模型,其混合方法可推广到其他无源器件。

5月18日周一
  1. IEEE TCAD38

    基于CNTFET的非平衡三进制全加器架构:设计与应用

    该文提出一种采用多阈值碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)技术、由42个晶体管实现的三进制全加器(TFA)架构。Synopsys HSPICE在0.9 V下的电路级仿真显示,与现有先进设计相比,该TFA功耗降低35.8%–75.2%、能耗降低21.6%–70%,蒙特卡洛仿真表明其对关键CNTFET工艺参数变化的敏感度最低,代价是适度的延迟开销和布局面积增至1.85倍。

4月16日周四
  1. IEEE TCAD48

    面向VLSI面积最小化的层约束瓶颈通道布线算法

    针对层约束瓶颈通道布线(BCR)问题,提出首个基于曼哈顿布线模型线段重分配的布线算法,含层约束全局布线与层约束详细布线两阶段。在10个测试瓶颈通道上,相比Taniguchi两层算法与SCR组合,平均仅用54.7%的CPU时间,并进一步减少2.6%布线面积和1.7%过孔数;相比三层算法与SCR组合,平均仅用19.3%的CPU时间。

2月21日周六
2025年11月11日周二